華虹半導體宣佈90納米閃存實現量產

　　大公網4月6日訊 （記者 李永青）200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司（01347）宣佈，公司90納米嵌入式閃存（eFlash）工藝平台已成功實現量產。

　　華虹半導體表示，其自主研發的90納米低功耗（LP）嵌入式閃存（eFlash）工藝平台，是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術，可與標準邏輯工藝完全兼容；在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗Flash IP；具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上。基於這些優點，華虹半導體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平台，減小30%以上，再加上較低的光罩成本優勢，能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及MCU產品提供極佳性價比的芯片製造技術解決方案。

　　華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平台是公司最重要的戰略工藝平台之一，從0.35微米、0.18微米、0.11微米，到現在的90納米，一路走來，始終保持著業界領先地位，穩定可靠的工藝平台為多家客戶提供了優質產品，受到客戶廣泛認可。同時，公司通過持續在該技術領域的深耕發展，已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。