万跃鹏：不完美的晶体提效潜力更大

保利协鑫首席技术官万跃鹏

　　大公网讯 1月18日，在苏州举办的“第三届光伏产业链创新合作高峰论坛”上，保利协鑫首席技术官万跃鹏作《硅材料技术和产品如何配合高效电池的发展》主旨报告，阐述保利协鑫推进硅材料与电池端产业链协同，强化提质增效，为客户提供高性价比产品，积极推动市场高效化发展的经营理念。

　　万跃鹏在报告中指出，多晶硅是光伏产业链的基础原料，保利协鑫旗下江苏中能多晶硅产品经过十多年的市场检验，其品质远超太阳能级一级品规格，满足P/N型单/多晶不同工艺需求；保利协鑫旗下鑫华半导体的电子级多晶硅已经量产，做更纯的硅料已经没有技术瓶颈。正在建设的新疆多晶硅基地，采用最新的技术和设备，其品质指标将超过当前水平，成本做到全球最低。

　　“硅片是电池的基石，好的硅片可以使电池效率得到提升。”万跃鹏认为，硅片与电池的技术发展应统筹协同，硅片体质量提升和表面质量提升两方面将引领高效硅片技术发展。体质量提升方面，多晶要降低位错密度、降低碳含量、收窄电阻率分布，单晶要降低氧含量；表面质量提升方面，多晶采用黑硅技术降低反射率等，都是未来技术升级的重要方向。“多晶因为有缺陷，所以提升的潜力更大，从鑫多晶S3到S4已经提升了0.8%，2018年将继续提升0.1-0.2%，而且铸锭炉G7改G8还将提升30%产能。对于光伏产业来说，产能占比7-8成的多晶技术提升意义重大”，万跃鹏说。

　　单晶方面，万跃鹏指出，保利协鑫专注于N型单晶等差异化技术。从SunEdison收购的连续直拉单晶（CCZ）技术正在国内落地，其特点是电阻率均衡，氧含量更低，更适合N型和P型镓掺杂。N型单晶结合保利协鑫细碎颗粒硅料，用于多次加料，将大幅提升装料量。另外，保利协鑫铸锭单晶成本接近多晶，效率距离普通直拉单晶仅差0.4%，成为未来重点技术路线方向。

　　“2017年金刚线切多晶和黑硅技术的协同配套成为保利协鑫最大亮点”，万跃鹏表示。保利协鑫在行业中率先突破金刚线切技改难题，目前千余台切片机已基本改造完毕，切片加工成本降低20%，引领多晶产业革命。保利协鑫在推出第一代“TS”双面黑硅产品后，继而推出第二代“TS+”单面黑硅产品，背面为抛光工艺，制绒成本降低30%，更有利于叠加PERC电池工艺。2018年保利协鑫湿法黑硅将提效0.5%以上，60片组件功率增加5瓦，多晶金刚线切+黑硅+PERC量产电池平均效率可达20.3-20.5%，为295瓦（60片）以上多晶组件制备提供了最佳技术路径。

　　万跃鹏总结道，保利协鑫坚持“以市场为导向，以客户为中心”的经营理念，尽最大努力满足客户的各项需求，提升产品品质。在长晶方面，减少晶体缺陷、减少多晶硬质点、铸锭单晶优化、湿法黑硅优化成为提升效率关键；在切片环节，薄片和细线化将成为未来产业发展大趋势。保利协鑫正在和客户共同推广180μm多晶硅片，预计2018上半年大部分多晶硅片产品将完成转换；多晶金刚线的应用已经越来越成熟，随着杂质含量、碳含量的降低，与单晶的差距将越来越小，多晶金刚线切片效率仍有很大提升潜力。